2025Q1前五大NAND闪存厂合计营收120.2亿美元，环比下降近24%
TrendForce发布了最新研究报告，显示2025年第一季度NAND闪存供应商在面对库存压力和终端客户需求下滑的情况下，平均销售价格（ASP）环比下降了15%，出货量环比减少7%，即便季度末部分产品价格回升及需求带动，但前五大NAND闪存厂合计营收仍然环比减
海力士
DDR5，涨势放缓
根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，DDR5价格已出现放缓迹象，预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅将有所减缓。NAND闪存方面，现货价格自2月下旬以来上涨，目前已达到相对高位，购买动能正在降温。具体情况如下：
Pure Storage和SK海力士合作为超大规模数据中心提供性能和能效
提供全球先进数据存储技术和服务的IT先驱Pure Storage宣布，与全球AI内存行业先驱SK海力士合作，提供最先进的QLC闪存产品，以满足数据密集型超大规模环境的大容量、高能效要求。
海力士 storage s pure purestorage 2025-05-28 17:14 18
集体减产为涨价，全球五大NAND闪存大厂再抱团，算你狠
据多个国内外的媒体透露，全球五大NAND闪存原厂，如三星、铠侠、美光、SK海力士、西部数据已经决定集体减产10%~15%，由此可能带来的结果必然是：NAND闪存可能涨价在即。
SK海力士和英伟达展开HBM4谈判
SK海力士与英伟达关于12层HBM4产品的谈判已进入最后阶段。
三星等海外巨头减产或退出 国内存储厂商迎新机遇
随着全球三大存储芯片厂商相继减产、退出NOR Flash、DDR3、DDR4市场，利基型存储市场竞争格局得到优化，非头部企业竞争压力明显缓解。国内兆易创新等存储厂商有机会抢占上述厂商减产、退出所空出的市场份额。
新AI内存：英伟达押注，比肩HBM
在算力需求指数级增长的今天，存储技术正经历着从"被动容器"到"主动参与者"的范式转变。SOCAMM的诞生，标志着内存模块首次实现了对计算需求的动态响应能力。其同步架构通过统一时钟信号实现数据传输的精准编排，将带宽提升至传统DDR5的2.5倍，而适应性调节机制则
SK海力士官宣321层4D NAND UFS 4.1芯片，比上一代薄15%
SK海力士宣布开发出了基于321层4D NAND闪存的UFS 4.1存储解决方案。这些超高密度的NAND芯片比上一代薄15%，将为UFS 4.1集成电路提供支持，预计会提供512GB和1TB的容量，将在今年内应用于PC固态硬盘，并将于2026年第一季度应用于智
手机存储飞跃！SK海力士拿出321层4D闪存的UFS 4.1
SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。
SK海力士发布321层UFS 4.1闪存，能效提升7%，2026年量产
2025年5月22日，SK海力士宣布成功研发出全球首款采用321层1Tb TLC 4D NAND技术的UFS 4.1闪存产品，该产品提供512GB和1TB两种容量版本。
SK Hynix 推出 321 层 UFS 4.1 比上一代更快、更薄、更高效
内存制造商 SK 海力士宣布推出全球首款适用于智能手机的 321 层 UFS 4.1 TLC NAND 闪存，它速度更快、效率更高、体积更小，非常适合注重轻薄机身和 AI 工具的下一代手机。
SK海力士成功开发出基于321层NAND闪存的解决方案产品UFS 4.1
具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化产品厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机“凭借全球最高321层的产品组合，公司将在NAND闪存领域进一步巩固‘全方位面向AI的存储器供应商’的地位”
SK海力士已开发基于321层1Tb 4D NAND闪存的UFS 4.1产品，厚度减少15%
SK海力士宣布，已开发出UFS 4.1产品，采用了全球最高的321层1Tb 4D NAND闪存，适用于移动应用，可选512GB和1TB两种容量。SK海力士表示，正通过构建具有AI技术优势的产品组合来扩大其在NAND领域作为全栈AI内存提供商的地位。
SK海力士展示HBM4，黄仁勋赞叹
由于SK海力士向英伟达提供的HBM模型安装在Blackwell，这是为了强调英伟达的合作伙伴关系。
SK海力士突破！321层NAND闪存UFS 4.1移动端解决方案亮相
SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功研发出搭载全球最高堆叠层数的321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案——UFS 4.1。这一创新成果标志着SK 海力士在移动存储技术领域迈出了重要一步。
SK海力士开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
SK海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时，
SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
SK 海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。
一季度NAND全球市场环比减少25%
根据CFM闪存市场数据显示，量价齐跌令NAND Flash市场规模连续两个季度下滑，2025年一季度全球NAND Flash市场规模环比和同比均发生下滑，仅为130.1亿美元，为五个季度以来的最低水平，环比减少25.3%，同比减少14.2%。
DRAM价格飙升，NAND将反弹
受中东人工智能投资和全球关税担忧的推动，DRAM 价格飙升，HBM 需求旺盛，预计将提振三星电子和 SK 海力士的盈利。主要客户正争相在美国可能加征关税之前囤积 DRAM，而美国芯片制造商英伟达与沙特阿拉伯达成的大规模人工智能芯片交易，也为韩国领先的内存芯片制
全球闪存大厂减产，2025年第二季度价格能否迎来反弹？
近期，全球NAND闪存市场迎来重大调整动向。据工商时报最新报道，全球五大NAND闪存制造商——三星、SK海力士、美光、铠侠和西部数据，计划在2025年上半年共同实施减产策略，减产比例预计介于10%至15%之间，旨在改善长期存在的供过于求状况。